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主動(dòng)式防震臺--AVI系列隔振方案
2020-3-27
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主動(dòng)式防震臺--AVI系列隔振方案簡述優(yōu)尼康(Unicorn)一直為廣大的用戶提供的環(huán)境改善方案,為電子顯微鏡和類似的大型研究儀器提供業(yè)界的主動(dòng)隔振性能(從0.5Hz開始)。AVI系列隔振方案:通過消除,干擾測量的破壞性低頻振動(dòng)噪聲,幫助用戶從顯微鏡中獲得更多信息。其中AVI系列減震平臺采用了超薄型和模塊化設(shè)計(jì),簡化了安裝過程,從而在安裝時(shí)不需要為大多數(shù)儀器安裝的起重設(shè)備(這個(gè)方案適合絕大數(shù)的EMs)。優(yōu)尼康提供的場地設(shè)計(jì)方案的工作流程,人性化的定制化安裝選型:按客戶的場地測...
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Filmetrics膜厚儀 車燈行業(yè)解決方案
2020-3-20
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Filmetrics膜厚儀車燈行業(yè)解決方案在車燈加工行業(yè),車燈在成型后,如不做處理,直接裝置與汽車上,其表面會較容易出現(xiàn)刮痕損傷,影響汽車照明性能,為了防止此類損傷,現(xiàn)在的車燈加工廠往往會在車燈燈具表面噴涂或浸涂一層加硬涂層(Hardcoat),以保護(hù)車燈表面。對于硬涂層的厚度需要嚴(yán)格控制,如果加硬涂層太厚,涂層成本會相對升高,涂層太薄,防損傷效果又會減弱。而且在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn),加硬涂層涂在車燈PC樹脂基材上,時(shí)間久了,可能會有脫落現(xiàn)象,所以在涂完加硬層后,會再新增一道工藝,...
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關(guān)于XRF鍍層測厚儀的優(yōu)勢和原理你了解嗎?
2020-3-19
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XRF鍍層測厚儀又叫膜厚儀、膜厚測試儀、膜厚計(jì)或者鍍層測厚儀(比如GT810F、GT810NF、GT8102等),可無損地測量磁性金屬基體(如:鋼、鐵、合金和硬磁性鋼等)上非磁性涂層的厚度(如鋁、鉻、銅、琺瑯、橡膠、油漆等),以及非磁性金屬基體(如銅、鋁、鋅、錫等)上非導(dǎo)電覆層的厚度(如:琺瑯、橡膠、油漆、塑料等)。XRF鍍層測厚儀具有測量誤差小、可靠性高、穩(wěn)定性好、操作簡便等特點(diǎn),是控制和產(chǎn)品質(zhì)量*的檢測儀器。XRF鍍層測厚儀的優(yōu)勢如下:1、對于壓敏膠,涂布/紙加工,煙草薄...
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FILMETRICS膜厚儀--光纖通訊中的應(yīng)用
2020-3-12
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FILMETRICS膜厚儀--光纖通訊中的應(yīng)用目前光電子集成芯片技術(shù)正處于高速發(fā)展時(shí)期。都投入了資源進(jìn)行光電子器件的研發(fā),在有關(guān)基礎(chǔ)科學(xué)問題、關(guān)鍵技術(shù)、示范應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)推廣等方面均有重大進(jìn)展和突破。膜厚儀光電子集成芯片技術(shù)是將光電材料和功能微結(jié)構(gòu)集成在單一芯片上,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的新技術(shù)。發(fā)展與微電子集成電路類似的光電子集成芯片技術(shù),是光電子器件技術(shù)正在面臨著的一次里程碑式變革。光電子集成芯片技術(shù)具有低功耗、高速率、高可靠、小體積等突出的優(yōu)點(diǎn),必將在光傳輸、光信息處理與交換、光接入...
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臺階儀的主要分類有哪幾種?
2020-2-24
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臺階儀屬于接觸式表面形貌測量儀器。根據(jù)使用傳感器的不同,接觸式臺階測量可以分為電感式、壓電式和光電式3種。其測量原理是:當(dāng)觸針沿被測表面輕輕滑過時(shí),由于表面有微小的峰谷使觸針在滑行的同時(shí),還沿峰谷作上下運(yùn)動(dòng)。觸針的運(yùn)動(dòng)情況就反映了表面輪廓的情況。傳感器輸出的電信號經(jīng)測量電橋后,輸出與觸針偏離平衡位置的位移成正比的調(diào)幅信號。經(jīng)放大與相敏整流后,可將位移信號從調(diào)幅信號中解調(diào)出來,得到放大了的與觸針位移成正比的緩慢變化信號。再經(jīng)噪音濾波器、波度濾波器進(jìn)一步濾去調(diào)制頻率與外界干擾信號...
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5G時(shí)代重要的半導(dǎo)體材料:碳化硅(SiC)的膜厚測量
2020-1-17
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作者:KevinHu,優(yōu)尼康科技有限公司技術(shù)工程師隨著5G大潮的到來,新一代的移動(dòng)通信產(chǎn)品大多具備高功率,耐高溫等特性,傳統(tǒng)原料中的硅(Si)無法克服在高溫、高壓、高頻中的損耗,逐漸被淘汰,跟不上時(shí)代的發(fā)展,無法滿足現(xiàn)代工藝的要求,這就使得碳化硅(SiC)新工藝在半導(dǎo)體行業(yè)嶄露頭角。目前SiC產(chǎn)品格局還處于三足鼎立的狀態(tài),美國、歐洲、日本占據(jù)產(chǎn)值的八成,其中又以美國獨(dú)大,中國雖以即將進(jìn)入5G時(shí)代,但是半導(dǎo)體在SiC方面仍屬于發(fā)展初期,目前在基底、磊晶和零組件方面均有布局。為了...